英特爾® 傲騰? 持久內(nèi)存是一款革命性的持久內(nèi)存產(chǎn)品,補(bǔ)齊了DRAM與磁盤之間的需求缺口,重構(gòu)內(nèi)存/存儲層次架構(gòu),集大容量、經(jīng)濟(jì)性和持久性于一身,幫助用戶優(yōu)化數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施,滿足大數(shù)據(jù)分析、數(shù)據(jù)庫、云與虛擬化、分布式存儲等多種應(yīng)用場景需求。為了幫助用戶通過傲騰持久內(nèi)存來實(shí)現(xiàn)應(yīng)用創(chuàng)新優(yōu)化,助力企業(yè)業(yè)務(wù)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)性能突破,浪潮發(fā)布了基于英特爾® 傲騰? 持久內(nèi)存的多種場景方案,本方案是基于英特爾® 傲騰? 持久內(nèi)存200系列的VMware vSphere應(yīng)用方案。
VMware vSphere 是業(yè)界領(lǐng)先且最可靠的虛擬化平臺之一。vSphere將應(yīng)用程序和操作系統(tǒng)從底層硬件分離出來,可將數(shù)據(jù)中心轉(zhuǎn)換為包括 CPU、存儲和網(wǎng)絡(luò)資源的聚合計(jì)算基礎(chǔ)架構(gòu)。vSphere將這些基礎(chǔ)架構(gòu)作為一個(gè)統(tǒng)一的運(yùn)行環(huán)境進(jìn)行管理,并為您提供工具來管理加入該環(huán)境的數(shù)據(jù)中心,從而簡化IT操作,確保業(yè)務(wù)連續(xù)性、降低IT 硬件和運(yùn)營成本。
圖1:VMware vSphere架構(gòu)圖
vSphere的兩個(gè)核心組件是ESXi和vCenter Server。ESXi是用于創(chuàng)建并運(yùn)行虛擬機(jī)和虛擬設(shè)備的虛擬化平臺。vCenter Server是一項(xiàng)服務(wù),用于管理網(wǎng)絡(luò)中連接的多個(gè)主機(jī),并將主機(jī)資源池化。
挑戰(zhàn):資源需求和成本壓力
VMware vSphere虛擬機(jī)可用內(nèi)存由EXSi主機(jī)的內(nèi)存容量定義,而VMware vSphere的內(nèi)存容量受限于服務(wù)器主機(jī),每一臺服務(wù)器的內(nèi)存插槽數(shù)量、支持內(nèi)存容量等極大的限制了內(nèi)存容量擴(kuò)展,在內(nèi)存容量增長到一定程度后將出現(xiàn)瓶頸。如果要進(jìn)一步對于內(nèi)存容量進(jìn)行擴(kuò)展,傳統(tǒng)的解決方案一般有兩種方式:一是使用大容量的內(nèi)存條,二是擴(kuò)展服務(wù)器節(jié)點(diǎn)數(shù)量。但是,這兩種方法都帶來成本壓力。對于前者來說,價(jià)格隨容量的提升成指數(shù)級增長;對于后者來說,擴(kuò)展服務(wù)器節(jié)點(diǎn)來提升內(nèi)存池的容量,這樣資源不是按需擴(kuò)展,同時(shí)這些服務(wù)器的采購、空間占用、運(yùn)維、供電成本無疑也會(huì)顯著增加。我們需要更經(jīng)濟(jì)的方式來擴(kuò)展內(nèi)存容量以創(chuàng)建更多的虛擬機(jī),提升單臺服務(wù)器的資源利用率。
英特爾® 傲騰? 持久內(nèi)存創(chuàng)新性解決方案新增內(nèi)存擴(kuò)展方式專為打破服務(wù)器內(nèi)存容量限制而優(yōu)化,補(bǔ)齊了DRAM內(nèi)存與磁盤之間的需求缺口,打造高性能、大容量的持久內(nèi)存層,有助于更加高效地挖掘數(shù)據(jù)的潛在價(jià)值。
圖2:英特爾® 傲騰? 持久內(nèi)存存儲層
英特爾®傲騰?持久內(nèi)存新一代產(chǎn)品200系列(Barlow Pass,即BPS)基于第三代英特爾®至強(qiáng)®可擴(kuò)展處理器優(yōu)化,容量有128GB、256GB和512GB三種。相對于上一代100系列產(chǎn)品,Ice Lake平臺單顆CPU容量最大支持到4TB,內(nèi)存頻率提升至3200MT/Sec,單通道平均性能提升25%。
英特爾®傲騰?持久內(nèi)存200系列具有兩種工作模式:內(nèi)存模式(MM)和App Direct 模式(AD)。
內(nèi)存模式,CPU內(nèi)存控制器將所有英特爾®傲騰?持久內(nèi)存200系列視為易失性系統(tǒng)內(nèi)存(無數(shù)據(jù)持久性),以更低的成本提供更大的內(nèi)存容量,無需更改應(yīng)用,并且性能接近 DRAM。
App Direct模式,能夠?qū)崿F(xiàn)較大內(nèi)存容量和數(shù)據(jù)持久性,支持持久內(nèi)存編程,軟件和應(yīng)用能夠直接與英特爾®傲騰?持久內(nèi)存通信,降低了堆棧的復(fù)雜性,并充分利用緩存一致性的字節(jié)可尋址特性,將持久內(nèi)存的使用擴(kuò)展到本地節(jié)點(diǎn)之外;App Direct模式提供一致的低延遲,同時(shí)支持更大的數(shù)據(jù)集。
圖3:英特爾®傲騰?持久內(nèi)存工作模式
PMem與vSphere結(jié)合應(yīng)用中,PMem的MM模式像傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存一樣供vSphere使用,提供更大的內(nèi)存容量;PMem的AD模式交由vSphere統(tǒng)籌管理。PMem(AD)映射到VM中有兩種方式:
1. vPMEMDisk:vSphere將PMem顯示為連接到VM的常規(guī)磁盤。利用此模式不需要對guest操作系統(tǒng)或應(yīng)用程序進(jìn)行任何更改。pedis配置僅可在vSphere中使用,而在裸機(jī)操作系統(tǒng)中不可用。
2. vPMEM:vSphere將PMem作為NVDIMM設(shè)備呈現(xiàn)給VM。大多數(shù)最新的操作系統(tǒng)(例如,Windows Server 2016和RHEL 7.4)支持NVDIMM設(shè)備,并可將其作為塊或字節(jié)可尋址設(shè)備提供給應(yīng)用程序。應(yīng)用程序可以通過直接訪問(DAX)文件系統(tǒng)的薄層,或者通過從設(shè)備映射一個(gè)區(qū)域并以字節(jié)可尋址的方式直接訪問它,將vPMEM用作常規(guī)存儲設(shè)備。
圖4:vSphere支持PMem架構(gòu)圖
本方案驗(yàn)證英特爾®傲騰?持久內(nèi)存200系列在VMware vSphere平臺下的性能。
BPS模式 |
對比項(xiàng) |
測試項(xiàng) |
測試說明 |
AD |
vNVMe vs BPS |
TPC-C |
分別作為Oracle 19c Redo Log存放介質(zhì) |
MM |
BPS vs DRAM |
TPC-H |
啟用Oralce 19c的In-Memory特性,測試TPC-H |
表1:方案測試說明表
OLTP場景下,VM使用vNVMe、vPMEM(BPS)作為Oracle Redo Log存放介質(zhì),發(fā)揮PMem的高性能低延遲特性,優(yōu)化提升數(shù)據(jù)庫性能。
OLAP場景下,PMem(Memory Mode)直接作為虛擬化平臺內(nèi)存,啟用Oracle 19c的In-Memory功能特性,與DRAM進(jìn)行對比。
方案配置
配置一 |
配置二 |
|
CPU |
2*Intel(R) Xeon(R) Gold 6348 CPU @ 2.60GHz 28C |
|
Mem |
16*16GB DDR4 |
16*32GB DDR4 |
BPS |
8*128GB BPS |
- |
OS Disk |
2*480GB SSD(S4510,RAID1) |
|
NVMe |
2*P4510 2TB |
表2:方案配置對比表
測試使用一臺浪潮NF5280M6服務(wù)器,VMware vSphere作為虛擬化平臺,在VM中部署Oracle 19c數(shù)據(jù)庫,使用數(shù)據(jù)庫壓力工具HammerDB測試TPC-C、TPC-H。
對比測試中,內(nèi)存及BPS具體插法如下圖:
圖5:方案對比圖
測試結(jié)果
TPC-C
TPC-C測試所得TPM性能結(jié)果見下圖(圖6):
圖6:vNVMe vs vPMem性能對比圖
vNVMe、vPMEM分別作為online redo log盤,vPMEM較vNVMe性能平均提升63%。
TPC-H
TPC-H 取5次測試結(jié)果平均值見下圖(圖7):
圖7:DRAM vs BPS性能對比圖
BPS MM模式作為內(nèi)存,較DRAM測試平均用時(shí)長約9%,即BPS MM性能是DRAM的91%。
在VMware vSphere的場景下,英特爾®傲騰?持久內(nèi)存AD模式高性能低延遲,有效提高數(shù)據(jù)庫性能;在內(nèi)存模式使用中,獲得了與DRAM相近的性能收益,大幅降低內(nèi)存成本。運(yùn)用英特爾®傲騰?持久內(nèi)存技術(shù),可以在具有高性能大容量的虛擬環(huán)境中整合平臺上的更多虛擬機(jī),增加虛擬機(jī)密度,為更多服務(wù)及用戶提供支持。